RN1109(T5L,F,T)
RN1109(T5L,F,T)
Osa numero:
RN1109(T5L,F,T)
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
42129 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
RN1109(T5L,F,T).pdf

esittely

RN1109(T5L,F,T) paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on RN1109(T5L,F,T): n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille RN1109(T5L,F,T): n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SSM
Sarja:-
Vastus - emitteripohja (R2):22 kOhms
Vastus - pohja (R1):47 kOhms
Virta - Max:100mW
Pakkaus:Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case:SC-75, SOT-416
Muut nimet:RN1109(T5LFT)CT
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Taajuus - Siirtyminen:250MHz
Yksityiskohtainen kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:70 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit