RD3L220SNTL1
RD3L220SNTL1
Osa numero:
RD3L220SNTL1
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
NCH 60V 22A POWER MOSFET
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
53522 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
RD3L220SNTL1.pdf

esittely

RD3L220SNTL1 paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on RD3L220SNTL1: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille RD3L220SNTL1: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-252
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:26 mOhm @ 22A, 10V
Tehonkulutus (Max):20W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:RD3L220SNTL1TR
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:13 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1500pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Yksityiskohtainen kuvaus:N-Channel 60V 22A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount TO-252
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:22A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit