PDTB123EUX
PDTB123EUX
Osa numero:
PDTB123EUX
Valmistaja:
Nexperia
Kuvaus:
TRANS PREBIAS PNP 0.425W
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
40874 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
PDTB123EUX.pdf

esittely

PDTB123EUX paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on PDTB123EUX: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille PDTB123EUX: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:100mV @ 2.5mA, 50mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SOT-323-3
Sarja:-
Vastus - emitteripohja (R2):2.2 kOhms
Vastus - pohja (R1):2.2 kOhms
Virta - Max:300mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SC-70, SOT-323
Muut nimet:934068335115
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Taajuus - Siirtyminen:140MHz
Yksityiskohtainen kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 140MHz 300mW Surface Mount SOT-323-3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:40 @ 50mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit