| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 320mV @ 100mA, 1A |
| transistori tyyppi: | PNP |
| Toimittaja Device Package: | TO-92-3 |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 830mW |
| Pakkaus: | Tape & Box (TB) |
| Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Muut nimet: | 934057673126 PBSS9110S AMO PBSS9110S AMO-ND |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | 100MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 150 @ 500mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 1A |
| Perusosan osanumero: | PBSS9110 |
| Email: | [email protected] |
