| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1.15V @ 8mA, 800mA |
| transistori tyyppi: | NPN - Pre-Biased |
| Toimittaja Device Package: | TO-92-3 |
| Sarja: | - |
| Vastus - emitteripohja (R2): | 10 kOhms |
| Vastus - pohja (R1): | 2.2 kOhms |
| Virta - Max: | 700mW |
| Pakkaus: | Tape & Box (TB) |
| Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Muut nimet: | 934059138126 PBRN123YS AMO PBRN123YS AMO-ND |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 500 @ 300mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 800mA |
| Perusosan osanumero: | PBRN123 |
| Email: | [email protected] |
