| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | I-PAK |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 8.4 mOhm @ 30A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.3W (Ta), 50W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 25V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 25V 9.5A (Ta), 32A (Tc) 1.3W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 9.5A (Ta), 32A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
