NSVDTC123JM3T5G
Osa numero:
NSVDTC123JM3T5G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
SOT-723 BIAS RESISTOR
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
90580 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
NSVDTC123JM3T5G.pdf

esittely

NSVDTC123JM3T5G paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on NSVDTC123JM3T5G: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille NSVDTC123JM3T5G: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SOT-723
Sarja:Automotive, AEC-Q101
Vastus - emitteripohja (R2):47 kOhms
Vastus - pohja (R1):2.2 kOhms
Virta - Max:260mW
Pakkaus / Case:SOT-723
Asennustyyppi:Surface Mount
Valmistajan toimitusaika:4 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Yksityiskohtainen kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit