Suomi
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Meistä | Ota meihin yhteyttä | Pyydä tarjous |
Koti > Tuotteet > Integroidut piirit (IC) > Muisti > MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Osa numero:
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Valmistaja:
Micron Technology
Kuvaus:
IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
68693 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E.pdf
tiedustelu

esittely

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Kirjoita työkiertoaika - sana, sivu:-
Jännite - Supply:1.8V
teknologia:FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Sarja:-
Muut nimet:MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E-ND
MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80E
Käyttölämpötila:-25°C ~ 85°C (TA)
Kosteuden herkkyys (MSL):3 (168 Hours)
muistin tyyppi:Non-Volatile
muistin koko:4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Muistipiiri:Parallel
Muistimuoto:FLASH, RAM
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Yksityiskohtainen kuvaus:FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Parallel 533MHz
Kellotaajuus:533MHz
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit

Aiheeseen liittyvät osat MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

Kuva Osa numero valmistajat Kuvaus näkymä
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR Micron Technology IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ tiedustelu
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F Micron Technology IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ tiedustelu
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 Micron Technology IC FLASH 1.5G DDR tiedustelu
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR Micron Technology IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ tiedustelu
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G Micron Technology IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ tiedustelu
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR Micron Technology MASSFLASH/LPDDR2 6G tiedustelu
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR Micron Technology IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ tiedustelu
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR Micron Technology IC FLASH 1.5G DDR tiedustelu
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR Micron Technology IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ tiedustelu
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TR Micron Technology IC FLASH 8G DDR tiedustelu
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR Micron Technology IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ tiedustelu
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U Micron Technology IC FLASH 8G DDR tiedustelu
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR Micron Technology IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ tiedustelu
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F Micron Technology IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ tiedustelu
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Micron Technology IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ tiedustelu
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F Micron Technology IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ tiedustelu
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR Micron Technology IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ tiedustelu
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F Micron Technology IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ tiedustelu
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F Micron Technology IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ tiedustelu
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H Micron Technology IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ tiedustelu

Latest News