| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 350V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 4mA, 50mA |
| transistori tyyppi: | NPN |
| Toimittaja Device Package: | TO-39 (TO-205AD) |
| Sarja: | Military, MIL-PRF-19500/368 |
| Virta - Max: | 800mW |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Muut nimet: | 1086-16097 1086-16097-MIL |
| Käyttölämpötila: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 33 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 1A 800mW Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 40 @ 20mA, 10V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 2µA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
