| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 55V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 750mV @ 40mA, 750mA |
| transistori tyyppi: | NPN |
| Toimittaja Device Package: | TO-8 |
| Sarja: | Military, MIL-PRF-19500/207 |
| Virta - Max: | 1.75W |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | TO-233AA, TO-8-3 Lens Top Metal Can |
| Muut nimet: | 1086-16075 1086-16075-MIL |
| Käyttölämpötila: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 55V 3A 1.75W Through Hole TO-8 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 35 @ 750mA, 4V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 15µA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
