IXFH52N50P2
IXFH52N50P2
Osa numero:
IXFH52N50P2
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 52A TO247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
70333 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
IXFH52N50P2.pdf

esittely

IXFH52N50P2 paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on IXFH52N50P2: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille IXFH52N50P2: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-247AD (IXFH)
Sarja:HiPerFET™, PolarHV™
RDS (Max) @ Id, Vgs:120 mOhm @ 26A, 10V
Tehonkulutus (Max):960W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:113nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):500V
Yksityiskohtainen kuvaus:N-Channel 500V 52A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:52A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit