| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±16V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | IPAK (TO-251) |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 10A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 79W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Muut nimet: | *IRLU3410PBF 64-4160PBF 64-4160PBF-ND SP001574164 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 800pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 34nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 100V 17A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 17A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
