| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Testi: | 5270pF @ 50V |
| Jännite - Breakdown: | D2PAK |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 12.1 mOhm @ 62A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Sarja: | HEXFET® |
| RoHS-tila: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 195A (Tc) |
| Polarisaatio: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | IRFS4115TRLPBFTR SP001578272 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 15 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IRFS4115TRLPBF |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 120nC @ 10V |
| IGBT Tyyppi: | ±20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5V @ 250µA |
| FET Ominaisuus: | N-Channel |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 150V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Valua lähde jännite (Vdss): | - |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 150V |
| kapasitanssi Ratio: | 375W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
