| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Toimittaja Device Package: | 8-SO |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V |
| Virta - Max: | 2W |
| Pakkaus: | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | *IRF8915TRPBF IRF8915PBFCT |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 540pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.4nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8.9A 2W Surface Mount 8-SO |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 8.9A |
| Perusosan osanumero: | IRF8915PBF |
| Email: | [email protected] |
