| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 360µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO251-3 |
| Sarja: | CoolMOS™ P7 |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 450 mOhm @ 7.2A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 104W (Tc) |
| Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Muut nimet: | SP001792326 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | Not Applicable |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1053pF @ 400V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 950V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 950V 14A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 14A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
