| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 20µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO-220-3 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 50 mOhm @ 20A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 44W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
| Muut nimet: | IPP50CN10N G IPP50CN10N G-ND IPP50CN10NGHKSA1 IPP50CN10NGIN IPP50CN10NGIN-ND IPP50CN10NGX IPP50CN10NGXK SP000096474 SP000680930 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1090pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 100V 20A (Tc) 44W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
