| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 1.3mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D²PAK (TO-263AB) |
| Sarja: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 277.8W (Tc) |
| Pakkaus: | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | IPB65R110CFDATMA1CT IPB65R110CFDCT IPB65R110CFDCT-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3240pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 118nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 650V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 31.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
