IPB120N10S403ATMA1
IPB120N10S403ATMA1
Osa numero:
IPB120N10S403ATMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH TO263-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
62607 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
IPB120N10S403ATMA1.pdf

esittely

IPB120N10S403ATMA1 paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on IPB120N10S403ATMA1: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille IPB120N10S403ATMA1: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 180µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D²PAK (TO-263AB)
Sarja:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.5 mOhm @ 100A, 10V
Tehonkulutus (Max):250W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:SP001102598
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:10120pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:140nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Yksityiskohtainen kuvaus:N-Channel 100V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit