| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 200mA, 2A |
| transistori tyyppi: | PNP |
| Toimittaja Device Package: | 3-SSOT |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 500mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Muut nimet: | FSB660A-ND FSB660ATR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 29 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | 75MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 500mW Surface Mount 3-SSOT |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 250 @ 500mA, 2V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 2A |
| Perusosan osanumero: | FSB660 |
| Email: | [email protected] |
