| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 200mA, 2A |
| transistori tyyppi: | PNP |
| Toimittaja Device Package: | TO-226 |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 1W |
| Pakkaus: | Tape & Box (TB) |
| Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | 75MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 3A 75MHz 1W Through Hole TO-226 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 250 @ 500mA, 2V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 3A |
| Perusosan osanumero: | FPN660 |
| Email: | [email protected] |
