FDD16AN08A0-F085
Osa numero:
FDD16AN08A0-F085
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 75V 50A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
77304 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
FDD16AN08A0-F085.pdf

esittely

FDD16AN08A0-F085 paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on FDD16AN08A0-F085: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille FDD16AN08A0-F085: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-252AA
Sarja:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:16 mOhm @ 50A, 10V
Tehonkulutus (Max):135W (Tc)
Pakkaus:Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:FDD16AN08A0-F085CT
FDD16AN08A0_F085CT
FDD16AN08A0_F085CT-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1874pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:47nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):75V
Yksityiskohtainen kuvaus:N-Channel 75V 9A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:9A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit