FCPF2250N80Z
FCPF2250N80Z
Osa numero:
FCPF2250N80Z
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
41121 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
FCPF2250N80Z.pdf

esittely

FCPF2250N80Z paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on FCPF2250N80Z: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille FCPF2250N80Z: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 260µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220F
Sarja:SuperFET® II
RDS (Max) @ Id, Vgs:2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
Tehonkulutus (Max):21.9W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3 Full Pack
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:585pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):800V
Yksityiskohtainen kuvaus:N-Channel 800V 2.6A (Tc) 21.9W (Tc) Through Hole TO-220F
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.6A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit