FCD5N60TM-WS
Osa numero:
FCD5N60TM-WS
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
34648 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
FCD5N60TM-WS.pdf

esittely

FCD5N60TM-WS paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on FCD5N60TM-WS: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille FCD5N60TM-WS: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D-Pak
Sarja:SuperFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:950 mOhm @ 2.3A, 10V
Tehonkulutus (Max):54W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:FCD5N60TM-WSTR
FCD5N60TM_WS
FCD5N60TM_WSTR
FCD5N60TM_WSTR-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:52 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Yksityiskohtainen kuvaus:N-Channel 600V 4.6A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount D-Pak
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4.6A (Tc)
Perusosan osanumero:FCD5N60
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit