| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 5mA |
| transistori tyyppi: | NPN - Pre-Biased |
| Toimittaja Device Package: | UMT3F |
| Sarja: | - |
| Vastus - emitteripohja (R2): | 47 kOhms |
| Vastus - pohja (R1): | 2.2 kOhms |
| Virta - Max: | 200mW |
| Pakkaus: | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case: | SC-85 |
| Muut nimet: | DTC023JUBTLCT |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | 250MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | - |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
