| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 10mA, 100mA |
| transistori tyyppi: | NPN |
| Toimittaja Device Package: | X2-DFN1006-3 |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 450mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 3-XFDFN |
| Muut nimet: | DN0150BLP4-7DI DN0150BLP4-7DI-ND DN0150BLP4-7DITR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | 60MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 60MHz 450mW Surface Mount X2-DFN1006-3 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 2mA, 6V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
