| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | 8-VSONP (5x6) |
| Sarja: | NexFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 6.4 mOhm @ 16A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-PowerTDFN |
| Muut nimet: | 296-41232-2 CSD19531Q5A-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 35 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3870pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 48nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 100V 100A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6) |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
