| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-264 [L] |
| Sarja: | POWER MOS 8™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 530 mOhm @ 14A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1135W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-264-3, TO-264AA |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 19 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 9670pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 300nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1200V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 1200V 29A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L] |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 29A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
APT2X100DQ100J | Microsemi | DIODE MODULE 1KV 100A ISOTOP | tiedustelu |
 |
APT28F60S | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK | tiedustelu |
 |
APT26F120B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX | tiedustelu |
 |
APT28F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 | tiedustelu |
|
APT29F100B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX | tiedustelu |
|
APT27GA90BD15 | Microsemi | IGBT 900V 48A 223W TO247 | tiedustelu |
|
APT28M120B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX | tiedustelu |
 |
APT2X100D100J | Microsemi | DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP | tiedustelu |
 |
APT26F120L | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264 | tiedustelu |
|
APT29F100L | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 30A TO264 | tiedustelu |
 |
APT2X100D60J | Microsemi | DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP | tiedustelu |
 |
APT27ZTR-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 450V 0.8A TO92 | tiedustelu |
|
APT29F80J | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 | tiedustelu |
|
APT27HZTR-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 450V 0.8A TO92 | tiedustelu |
|
APT2X100D40J | Microsemi | DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP | tiedustelu |
|
APT2X100D20J | Microsemi | DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP | tiedustelu |
|
APT26M100JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 | tiedustelu |
|
APT2X100D30J | Microsemi | DIODE MODULE 300V 100A ISOTOP | tiedustelu |
|
APT2X100D120J | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP | tiedustelu |
|
APT26M100JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 | tiedustelu |