| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 900V |
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 3.9V @ 15V, 25A |
| Testaa kunto: | 600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 13ns/55ns |
| Switching Energy: | 370µJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 [B] |
| Sarja: | POWER MOS 7® |
| Virta - Max: | 417W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Muut nimet: | APT25GP90BDQ1GMI APT25GP90BDQ1GMI-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | PT |
| Gate Charge: | 110nC |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B] |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 110A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 72A |
| Email: | [email protected] |
