| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | DIRECTFET™ MT |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.8 mOhm @ 15A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | DirectFET™ Isometric MT |
| Muut nimet: | 64-9146TR IRF6691 IRF6691TR IRF6691TR-ND SP001527088 |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 6580pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 71nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 20V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 32A (Ta), 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
