| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 33mA, 1A |
| transistori tyyppi: | PNP |
| Toimittaja Device Package: | TO-92MOD |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 900mW |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Muut nimet: | 2SA1382T6MIBF(J 2SA1382T6MIBFJ |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | 110MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 110MHz 900mW Through Hole TO-92MOD |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 150 @ 500mA, 2V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
