| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 500µA, 10mA |
| transistori tyyppi: | PNP |
| Toimittaja Device Package: | TO-106 |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 200mW |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | TO-106-3 Domed |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 200mW Through Hole TO-106 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 250 @ 100µA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 10nA (ICBO) |
| Email: | [email protected] |
