| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 950mV @ 100mA, 1A |
| transistori tyyppi: | NPN |
| Toimittaja Device Package: | TO-5 |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 800mW |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Käyttölämpötila: | - |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 1A 800mW Through Hole TO-5 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 60 @ 100mA, 1V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 10µA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 1A |
| Perusosan osanumero: | 2N3725 |
| Email: | [email protected] |
