ZXMN3B04N8TC
ZXMN3B04N8TC
Número de pieza:
ZXMN3B04N8TC
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
80501 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
ZXMN3B04N8TC.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:700mV @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:25 mOhm @ 7.2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2480pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:23.1nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 7.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.2A (Ta)
Email:[email protected]

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