ZXMN3A04DN8TA
ZXMN3A04DN8TA
Número de pieza:
ZXMN3A04DN8TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
81090 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
ZXMN3A04DN8TA.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA (Min)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 12.6A, 10V
Potencia - Max:1.81W
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:ZXMN3A04DN8CT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1890pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:36.8nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 1.81W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.5A
Email:[email protected]

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