ZXMN2AM832TA
ZXMN2AM832TA
Número de pieza:
ZXMN2AM832TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
64018 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
ZXMN2AM832TA.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:700mV @ 250µA (Min)
Paquete del dispositivo:8-MLP (3x2)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:120 mOhm @ 4A, 4.5V
Potencia - Max:1.7W
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-VDFN Exposed Pad
Otros nombres:ZXMN2AM832DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:299pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3.1nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.9A 1.7W Surface Mount 8-MLP (3x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.9A
Email:[email protected]

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