| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo: | 14-DIP |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.75 Ohm @ 200mA, 5V |
| Potencia - Max: | 2W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | - |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 110pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 4 N-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 830mA |
| Email: | [email protected] |
