VP3203N8-G
VP3203N8-G
Número de pieza:
VP3203N8-G
Fabricante:
Micrel / Microchip Technology
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT89-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
34960 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
VP3203N8-G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 10mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-243AA (SOT-89)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:600 mOhm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.6W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-243AA
Otros nombres:VP3203N8-G-ND
VP3203N8-GTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 25V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:P-Channel 30V 1.1A (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.1A (Tj)
Email:[email protected]

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