TSM70N750CH C5G
TSM70N750CH C5G
Número de pieza:
TSM70N750CH C5G
Fabricante:
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
56856 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
TSM70N750CH C5G.pdf

Introducción

TSM70N750CH C5G mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de TSM70N750CH C5G, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para TSM70N750CH C5G por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-251 (IPAK)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:750 mOhm @ 1.8A, 10V
La disipación de energía (máximo):62.5W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:TSM70N750CH C5G-ND
TSM70N750CHC5G
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:52 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:555pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:700V
Descripción detallada:N-Channel 700V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios