TSM60NB099CZ C0G
TSM60NB099CZ C0G
Número de pieza:
TSM60NB099CZ C0G
Fabricante:
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
76526 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
TSM60NB099CZ C0G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:99 mOhm @ 11.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):298W (Tc)
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:TSM60NB099CZ C0G-ND
TSM60NB099CZC0G
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2587pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:62nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción detallada:N-Channel 600V 38A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:38A (Tc)
Email:[email protected]

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