TPH5200FNH,L1Q
TPH5200FNH,L1Q
Número de pieza:
TPH5200FNH,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 26A SOP8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
33936 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
TPH5200FNH,L1Q.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOP Advance (5x5)
Serie:U-MOSVIII-H
RDS (Max) @Id, Vgs:52 mOhm @ 13A, 10V
La disipación de energía (máximo):78W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:TPH5200FNH,L1Q(M
TPH5200FNHL1QTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:250V
Descripción detallada:N-Channel 250V 26A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:26A (Tc)
Email:[email protected]

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