TPC6008-H(TE85L,FM
Número de pieza:
TPC6008-H(TE85L,FM
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
43865 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.TPC6008-H(TE85L,FM.pdf2.TPC6008-H(TE85L,FM.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.3V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:VS-6 (2.9x2.8)
Serie:U-MOSVI-H
RDS (Max) @Id, Vgs:60 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo):700mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres:TPC6008-H(TE85LFM
TPC6008HTE85LFM
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4.8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 5.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.9A (Ta)
Email:[email protected]

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