| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.7V @ 310µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | I-PAK |
| Serie: | DTMOSIV |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 820 mOhm @ 3.1A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 60W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Otros nombres: | TK6Q60W,S1VQ(S TK6Q60WS1VQ |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 390pF @ 300V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Super Junction |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción detallada: | N-Channel 600V 6.2A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
