| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 500µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | DPAK+ |
| Serie: | U-MOSVIII-H |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 6.5 mOhm @ 27.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 157W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | TK55S10N1,LQ(O TK55S10N1LQTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3280pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción detallada: | N-Channel 100V 55A (Ta) 157W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 55A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
