TK15A60U(STA4,Q,M)
TK15A60U(STA4,Q,M)
Número de pieza:
TK15A60U(STA4,Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
59680 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.TK15A60U(STA4,Q,M).pdf2.TK15A60U(STA4,Q,M).pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220SIS
Serie:DTMOSII
RDS (Max) @Id, Vgs:300 mOhm @ 7.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):40W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:TK15A60U(Q)
TK15A60U(Q,M)
TK15A60U(QM)
TK15A60U(QM)-ND
TK15A60U(STA4QM)
TK15A60UQ
TK15A60UQ-ND
TK15A60USTA4QM
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción detallada:N-Channel 600V 15A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:15A (Ta)
Email:[email protected]

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