STW9N150
STW9N150
Número de pieza:
STW9N150
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
MOSFET N-CH 1500V 8A TO-247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
53540 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
STW9N150.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247-3
Serie:PowerMESH™
RDS (Max) @Id, Vgs:2.5 Ohm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo):320W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Otros nombres:497-8465-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3255pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:89.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1500V
Descripción detallada:N-Channel 1500V 8A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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