| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 600mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SO |
| Serie: | STripFET™ II |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 200 mOhm @ 1A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 2W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | 497-3225-2 STS2DPFS20V-E |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 315pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 4.7nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 2.7V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción detallada: | P-Channel 20V 2.5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
