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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > STP35N60M2-EP
STP35N60M2-EP
Número de pieza:
STP35N60M2-EP
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
MOSFET
Cantidad:
66958 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
STP35N60M2-EP.pdf
Investigación

Introducción

STP35N60M2-EP mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de STP35N60M2-EP, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para STP35N60M2-EP por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:-
Vgs (Max):-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:MDmesh™ M2-EP
RDS (Max) @Id, Vgs:-
La disipación de energía (máximo):-
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante:42 Weeks
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción detallada:N-Channel 600V Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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