STF30N10F7
STF30N10F7
Número de pieza:
STF30N10F7
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
59053 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
STF30N10F7.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220FP
Serie:DeepGATE™, STripFET™ VII
RDS (Max) @Id, Vgs:24 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo):25W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:497-14554-5
STF30N10F7-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1270pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:N-Channel 100V 24A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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