STD19N3LLH6AG
STD19N3LLH6AG
Número de pieza:
STD19N3LLH6AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 10A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
78444 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.STD19N3LLH6AG.pdf2.STD19N3LLH6AG.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:STripFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:33 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):30W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:497-16512-6
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:321pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3.7nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 10A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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