SQJ960EP-T1_GE3
SQJ960EP-T1_GE3
Número de pieza:
SQJ960EP-T1_GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 8A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
69672 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SQJ960EP-T1_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SO-8 Dual
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:36 mOhm @ 5.3A, 10V
Potencia - Max:34W
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SO-8 Dual
Otros nombres:SQJ960EP-T1_GE3CT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:735pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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